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AP6679S	文件：80.65 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODE	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
FDMC6679AZ	文件：305.24 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelPowerTrench짰MOSFET-30V,-20A,10m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6679	文件：69.08 Kbytes Page：5 Pages	30VoltP-ChannelPowerTrenchMOSFET ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers,andbatterychargers.TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6679	文件：98.18 Kbytes Page：4 Pages	30VoltP-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6679AZ	文件：434.54 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6679AZ	文件：414 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerTrenchMOSFET-30V,-13A,9mOhm GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproductedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance. ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6679AZ	文件：1.20384 Mbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES -30V/-15A Rosion)=6-8MQ(Max.)@Vg=-10V Roson=13MQ(Max)@V,,=-4.5V	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
FDS6679AZ-NL	文件：995.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDS6679Z	文件：66.55 Kbytes Page：5 Pages	30VoltP-ChannelPowerTrenchMOSFET ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers,andbatterychargers.TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GE6679	文件：287.85 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGE6679providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchas	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GE6679	文件：291.99 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGE6679providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchas	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GI6679	文件：230.95 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GJ6679	文件：231.65 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GSC6679	文件：262.11 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GU6679	文件：319.11 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
NJU6679	文件：598.5 Kbytes Page：46 Pages	128-commonx132-segmentBITMAPLCDDRIVER	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJU6679CL	文件：598.5 Kbytes Page：46 Pages	128-commonx132-segmentBITMAPLCDDRIVER	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
PTC6679	文件：344.75 Kbytes Page：3 Pages	NPNDarlingtonTransistors NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SID6679	文件：756.64 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SL6679	文件：371.28 Kbytes Page：23 Pages	DirectConversionFSKDataReceiver DirectConversionFSKDataReceiver TheSL6679isanadvancedDirectConversionFSKDataReceiverforoperationupto450MHz.ThedeviceintegratesallfunctionstoconvertabinaryFSKmodulatedRFsignalintoademodulateddatastream. Adjacentchannelrejectionisprovidedusingtuneablegyr	Mitel Mitel Corporation	Mitel

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更多AP6679J供应商更新时间2024-6-19 15:30:00

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