丝印：AP4N70P；Package：TO-220-3L；700V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 700V ID =4A - RDS(ON)

文件：1.22563 Mbytes 页数：9 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP4N70T；Package：TO-263-3L；700V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 700V ID =4A - RDS(ON)

文件：1.22563 Mbytes 页数：9 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP4N80D；Package：TO-252-3L；800V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 800V ID =4A - RDS(ON)

文件：818.93 Kbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP4N80Y；Package：TO-251S-3L；800V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 800V ID =4A - RDS(ON)

文件：818.93 Kbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP4N90D；Package：TO-252-3L；900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 900V ID =4.0A - RDS(ON)

文件：1.5727 Mbytes 页数：8 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP4N90F；Package：TO-220F-3L；900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 900V ID =4.0A - RDS(ON)

文件：1.21508 Mbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP4N90P；Package：TO-220-3L；900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 900V ID =4.0A - RDS(ON)

文件：1.21508 Mbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP4N90T；Package：TO-263-3L；900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 900V ID =4.0A - RDS(ON)

文件：1.21508 Mbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP4N90Y；Package：TO-251S-3L；900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 900V ID =4.0A - RDS(ON)

文件：1.5727 Mbytes 页数：8 Pages

APME

永源微电子

丝印：AP4P02LI；Package：SOT23-6L；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = -20V ID =-4.3A - RDS(ON)

文件：1.23056 Mbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子