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AP4N90T	文件：1.21508 Mbytes Page：7 Pages	丝印：AP4N90T；Package：TO-263-3L；900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = 900V ID =4.0A - RDS(ON) 文件：1.21508 Mbytes 页数：7 Pages	APME 永源微电子	APME
AP4N90Y	文件：1.5727 Mbytes Page：8 Pages	900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = 900V ID =4.0A - RDS(ON) 文件：1.5727 Mbytes 页数：8 Pages	APME 永源微电子	APME
FIR4N90FG	文件：2.08953 Mbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET-T 文件：2.08953 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR4N90RG	文件：2.22911 Mbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：2.22911 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER

更多AP4N90T供应商更新时间2026-4-17 15:08:00