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AP4N80D	文件：818.93 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AP4N80D；Package：TO-252-3L；800V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = 800V ID =4A - RDS(ON) 文件：818.93 Kbytes 页数：7 Pages	APME 永源微电子	APME
AP4N80DY	文件：818.93 Kbytes Page：7 Pages	800V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = 800V ID =4A - RDS(ON) 文件：818.93 Kbytes 页数：7 Pages	APME 永源微电子	APME
AP4N80FP	文件：871.21 Kbytes Page：6 Pages	800V N-Plance Enhancement Mode MOSFET Features - VDS =800V,ID =4A - RDS(ON) 文件：871.21 Kbytes 页数：6 Pages	APME 永源微电子	APME
AP4N80Y	文件：818.93 Kbytes Page：7 Pages	800V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = 800V ID =4A - RDS(ON) 文件：818.93 Kbytes 页数：7 Pages	APME 永源微电子	APME
BRF4N80	文件：1.11511 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package 文件：1.11511 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN

更多AP4N80D供应商更新时间2026-4-17 15:08:00