丝印：AP4N80Y；Package：TO-251S-3L；800V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 800V ID =4A - RDS(ON)

文件：818.93 Kbytes 页数：7 Pages

APME

永源微电子

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package

文件：1.11511 Mbytes 页数：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

N-Channel Power MOSFET-Y

文件：5.08491 Mbytes 页数：8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

N-Channel Power MOSFET-Y

文件：5.02461 Mbytes 页数：8 Pages

FOSTER

福斯特半导体