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ATX-H310A	文件：524.48 Kbytes Page：2 Pages	ATXIndustrialMotherboardwith8th/9thGenerationIntel®Core™Processor,DDR4DRAM,Option:4GLTEFunction Features ■8th/9thGenerationIntel®Core™LGA1151Processor ■SupportsMax.TDP6Core95W ■DDR42666/2400/2133MHz,max.64GB ■TwoIndependentDisplays:HDMIx1,VGAx1,DPx1 ■DualIntel®GigabitEthernet,i210ATx1,i219Vx1 ■USB3.2Gen1portsx4,USB2.0portsx5 ■M.22280	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
AUSCD310H	文件：39.86 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
AVN310N	文件：13.85927 Mbytes Page：51 Pages	Heavydutyswitches&pilotlightsofferbothvarietyandreliabilityEnduresharshenvironments	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
AZT310HVI	文件：138.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGHCURRENTPHASECONTROL	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
BFG310	文件：73.69 Kbytes Page：12 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG310W	文件：75.97 Kbytes Page：12 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG310W	文件：168.74 Kbytes Page：13 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features Highpowergain Lownoisefigure Hightransitionfrequency Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications IntendedforRadioFrequency(RF)fro	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFG310W/XR	文件：75.97 Kbytes Page：12 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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BFG310WSLASHXR	文件：75.97 Kbytes Page：12 Pages	NPN14GHzwidebandtransistor Generaldescription NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Rplasticpackage. Features ■Highpowergain ■Lownoisefigure ■Hightransitionfrequency ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability Applications ■IntendedforRadioFrequency(RF)fronte	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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