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NP23N06YDG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP23N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=27mΩMAX.(VGS=10V,ID=11.5A) •LowCiss:Ciss=1200pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Logicleveldrivetype •Des

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP23N06YDG

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

SG23N06DT

DiscreteIGBTs

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)

SG23N06DT

DiscreteIGBTs

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司

SG23N06T

DiscreteIGBTs

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)

SG23N06T

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SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司

SUD23N06

MOSFET

FEATURES VDS(V)=60V ID=30A(VGS=10V) RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧

SUD23N06

SUD23N06

FEATURES VDS(V)=60V ID=30A(VGS=10V) RDS(ON)25m(VGS=10V) RDS(ON)30m(VGS=4.5V)

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
UNI-SEMI宇力半导体
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SOT23
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更多AP23N06K供应商 更新时间2024-9-24 11:00:00