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SG23N06T	文件：109.19 Kbytes Page：2 Pages	Discrete IGBTs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
SG23N06T	文件：112.84 Kbytes Page：2 Pages	Discrete IGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)
NP23N06YDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NP23N06YDG	文件：226.04 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP23N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=27mΩMAX.(VGS=10V,ID=11.5A) •LowCiss:Ciss=1200pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Logicleveldrivetype •Des	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
SG23N06DT	文件：109.19 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
SG23N06DT	文件：112.84 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)
SUD23N06	文件：448.85 Kbytes Page：6 Pages	SUD23N06 FEATURES VDS(V)=60V ID=30A(VGS=10V) RDS(ON)25m(VGS=10V) RDS(ON)30m(VGS=4.5V)	UMWUMW 友台友台半导体

更多SG23N06T供应商更新时间2024-4-27 11:10:00