丝印：23N06；Package：TO-252；SUD23N06

FEATURES VDS (V) = 60V ID= 30A (VGS=10V) RDS(ON) 25m (VGS =10V) RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V)

文件：448.85 Kbytes 页数：6 Pages

UMW

友台半导体

MOSFET

FEATURES VDS (V) = 60V ID= 30A (VGS=10V) RDS(ON)

文件：464.37 Kbytes 页数：6 Pages

EVVOSEMI

翊欧

丝印：23N06；Package：TO-252；MOSFET

FEATURES VDS (V) = 60V ID= 30A (VGS=10V) RDS(ON)

文件：464.37 Kbytes 页数：6 Pages

EVVOSEMI

翊欧

丝印：23N06；Package：TO-252；SUD23N06

FEATURES VDS (V) = 60V ID= 30A (VGS=10V) RDS(ON) 25m (VGS =10V) RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V)

文件：448.85 Kbytes 页数：6 Pages

UMW

友台半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：887.28 Kbytes 页数：4 Pages

DOINGTER

杜因特

N-Channel 60-V (D-S), MOSFET

文件：123.67 Kbytes 页数：7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

N-Channel 60 V (D-S), MOSFET

文件：140.88 Kbytes 页数：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

N-Channel 60 V (D-S), MOSFET

文件：163.29 Kbytes 页数：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：308.41 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 60 V (D-S), MOSFET

文件：157.54 Kbytes 页数：9 Pages

TFUNK

威世