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BPT-BP2331	文件：105.88 Kbytes Page：3 Pages	LED	BRIGHTBRIGHT LED ELECTRONICS CORP 步来特电器宁波步来特电器有限公司	BRIGHT
C2331	文件：51.14 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220package •Complementtotype2SA1008 •Lowcollectorsaturationvoltage •Fastswitchingspeed APPLICATIONS •Switchingregulators •DC/DCconverters •Highfrequencypoweramplifiers	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
C2331Y	文件：81.69 Kbytes Page：2 Pages	NPNLOWFREQUENCYAMPLIFIERMEDIUMSPEEDSWITCHING) LOWFREQUENCYAMPLIFIERMEDIUMSPEEDSWITCHING •ComplementtoKSA931 •HighCollector-BaseVoltageVcso=80V •CollectorCurrentIc=700mA •CollectorDisslpationPc=1W	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
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CES2331	文件：1.05083 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2331	文件：484.18 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-4.2A,RDS(ON)=48mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=60mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=78mW@VGS=-1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2331A	文件：431.8 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-4.3A,RDS(ON)=42mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=55mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant. RDS(ON)=75mW@VGS=-1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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中天科工半导体（深圳）有限公司	AP2331GN-HF	APEC/富鼎	25+	SOT23-3	32496	APEC/富鼎全新特价AP2331GN-HF即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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