X9317UM8Z-2.7说明书PDF资料原装现货第17页-114ic电子网

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AOB9N70L	文件：402.87 Kbytes Page：6 Pages	700V, 9A N-Channel MOSFET The AOT9N70 & AOTF9N70 & AOB9N70 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low R DS(on), C iss and C rss along with guaranteed avalanche capabil 文件：402.87 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOBS30B65LN	文件：488.14 Kbytes Page：7 Pages	650V, 30A Alpha IGBTTM AEC-Q101 Qualified General Description 650V breakdown voltage• Low Vce(sat) and fast turn-on speed• High ruggedness and temperature stable behavior• Automotive qualified Applications • Discharge switch• Relay replacement• PTC heater 文件：488.14 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB10B65M1	文件：100.87 Kbytes Page：3 Pages	This AOS product reliability report summarizes the qualification result for AOB10B65M1 文件：100.87 Kbytes 页数：3 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB10N60	文件：297.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：297.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOB10N60	文件：1.1059 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.1059 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOB10N60L	文件：1.10587 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.10587 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOB10T60P	文件：498.7 Kbytes Page：7 Pages	600V,10A N-Channel MOSFET 文件：498.7 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB10T60PL	文件：498.68 Kbytes Page：7 Pages	RoHS and Halogen Free Compliant 文件：498.68 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB10T60PL	文件：498.69 Kbytes Page：7 Pages	RoHS and Halogen Free Compliant 文件：498.69 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB1100L	文件：297.12 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：297.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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产品属性

产品编号：
X9317UM8Z-2.7
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 数字电位计
系列：
XDCP™
包装：
卷带（TR）
圆锥：
线性
配置：
电位计
抽头数：
100
电阻 (欧姆)：
50k
接口：
上/下（U/D，INC，CS）
存储器类型：
非易失
电压 - 供电：
2.7V ~ 5.5V
容差：
±20%
温度系数（典型值）：
±300ppm/°C
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
8-MSOP
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
工作温度：
0°C ~ 70°C
电阻 - 触点 (欧姆)（典型值）：
400
描述：
IC DGTL POT 50KOHM 100TAP 8MSOP

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