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AOB10N60L	文件：1.10587 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.10587 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOT10N60	文件：182.74 Kbytes Page：6 Pages	600V, 10A N-Channel MOSFET General Description The AOT10N60 & AOB10N60 & AOTF10N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed aval 文件：182.74 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT10N60	文件：264.79 Kbytes Page：6 Pages	600V,10A N-Channel MOSFET General Description The AOT10N60 & AOB10N60 & AOTF10N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed aval 文件：264.79 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT10N60	文件：304.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：304.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
AOB10N60L
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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