X9317UM8Z-2.7说明书PDF资料原装现货第18页-114ic电子网

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AOB11N60	文件：450.01 Kbytes Page：5 Pages	600V,11A N-Channel MOSFET 文件：450.01 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB11N60	文件：1.10675 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.10675 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOB11N60L	文件：1.10579 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.10579 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOB11N60L	文件：450.01 Kbytes Page：5 Pages	600V,11A N-Channel MOSFET 文件：450.01 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB12N50	文件：297.12 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：297.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOB12N50	文件：1.03888 Mbytes Page：8 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03888 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOB12N50L	文件：1.03892 Mbytes Page：8 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03892 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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产品属性

产品编号：
X9317UM8Z-2.7
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 数字电位计
系列：
XDCP™
包装：
卷带（TR）
圆锥：
线性
配置：
电位计
抽头数：
100
电阻 (欧姆)：
50k
接口：
上/下（U/D，INC，CS）
存储器类型：
非易失
电压 - 供电：
2.7V ~ 5.5V
容差：
±20%
温度系数（典型值）：
±300ppm/°C
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
8-MSOP
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
工作温度：
0°C ~ 70°C
电阻 - 触点 (欧姆)（典型值）：
400
描述：
IC DGTL POT 50KOHM 100TAP 8MSOP

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