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AO8808	文件：112.07 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO8808usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbidirectionalloadswitch,facilitatedbyits	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8808	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor;	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体	AOS
AO8808A	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V); Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor\n	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体	AOS
AO8808A	文件：112.45 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO8808AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.StandardProductAO8808AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8808A	文件：1.69773 Mbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel MOSFET FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFETs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO8808AL	文件：112.45 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO8808AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.StandardProductAO8808AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8808L	文件：112.07 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO8808usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbidirectionalloadswitch,facilitatedbyits	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TSSOP-8L
Configuration：
Common Drain
Polarity：
N
VDS (V)：
20
10V：
14
4.5V：
15
2.5V：
20
1.8V：
28
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
8
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
16
VGS(th) max (V)：
1
Ciss (pF)：
1160
Coss (pF)：
232
Crss (pF)：
146
Qgd (nC)：
3.80
tD(on) (ns)：
6.20
tD(off) (ns)：
51.70
Trr (ns)：
20.20
Qrr (nC)：
8
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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