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CMPZ4614	文件：395.17 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWNOISESILICONZENERDIODE	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CS4614	文件：221.08 Kbytes Page：24 Pages	CrystalClearSoundFusionPCIAudioAccelerator DESCRIPTION TheCS4614isahighperformancepin-compatibleupgradetothe100-pinCS4610/11PCIaudioaccelerator.Withtheaddedlegacycompatibilitymodes,theCS4614enablesrealmodeDOScompatiblePCI-onlyaudiosubsystems.Thisdevice,combinedwithapplicationanddriversoftware,provide	CIRRUSCirrus Logic 凌云逻辑	CIRRUS
CS4614-CM	文件：221.08 Kbytes Page：24 Pages	CrystalClearSoundFusionPCIAudioAccelerator DESCRIPTION TheCS4614isahighperformancepin-compatibleupgradetothe100-pinCS4610/11PCIaudioaccelerator.Withtheaddedlegacycompatibilitymodes,theCS4614enablesrealmodeDOScompatiblePCI-onlyaudiosubsystems.Thisdevice,combinedwithapplicationanddriversoftware,provide	CIRRUSCirrus Logic 凌云逻辑	CIRRUS
DL4614	文件：399.58 Kbytes Page：5 Pages	500mWSiliconZenerDiodes	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DM4614P	文件：35.7387 Mbytes Page：42 Pages	MAGNETICPOWDERCORES	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FQ4614Q	文件：335.99 Kbytes Page：5 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FTK4614	文件：477.74 Kbytes Page：5 Pages	SuperHighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
G4614	文件：946.17 Kbytes Page：10 Pages	NandPChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG4614usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
HM4614B	文件：1.36717 Mbytes Page：5 Pages	NANDP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
JMTP4614A	文件：198.258 Kbytes Page：4 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW

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详细参数

型号：
AO4614A
功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 40V 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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