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AO4614BL	文件：222.39 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4614B/LusesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.AO4614BandAO4614BLareelectricallyidentical. -RoHSCompliant -AO4614BLis	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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AO4614L	文件：142.89 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4614usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.StandardProductAO4614isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4614Lis	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BL-B4614	文件：461.62 Kbytes Page：6 Pages	STANDARDLEDLAMPS(ROUNDTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-B4614	文件：513.38 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDLEDLAMPS(ROUNDTYPES) STANDARDLEDLAMPS(ROUNDTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-B4614	文件：459.97 Kbytes Page：6 Pages	STANDARDLEDLAMPS(ROUNDTYPES) STANDARDLEDLAMPS(ROUNDTYPES) Notes:1.AllDimensionsareinmillimeters(inches). 2.Toleranceis±0.25mm(.010²)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
CD4614	文件：112.2 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODECHIPS •1N4614THRU1N4627AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/435 •ZENERDIODECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4614THRU1N4627 •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTAC	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL4614	文件：109.68 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •1N4614UR-1THRU1N4627UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL4614	文件：122.75 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •1N4614UR-1THRU1N4627UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CDLL4614C	文件：122.75 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •1N4614UR-1THRU1N4627UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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详细参数

型号：
AO4614A
功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 40V 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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