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G4614

丝印:G4614;Package:SOP-8DUAL;N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G4614 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:946.17 Kbytes 页数:10 Pages

GOFORD

谷峰半导体

G4614

Trench Mosfet

GOFORD

谷峰半导体

HM4614B

N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:1.36717 Mbytes 页数:5 Pages

HMSEMI

华之美半导体

KO4614A

Complementary Trench MOSFET

■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 40V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON)

文件:2.26095 Mbytes 页数:7 Pages

KEXIN

科信电子

KO4614A-HF

Complementary Trench MOSFET

■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 40V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON)

文件:2.39477 Mbytes 页数:7 Pages

KEXIN

科信电子

技术参数

  • Configuration:

    N+P channel

  • ESD:

    NO

  • VDS:

    40V/-40V

  • Id at 25℃(max):

    6A/-7A

  • PD(max):

    1.9W/2.66W

  • Vgs(th)typ(V):

    2.0V/-1.5V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    26mΩ/25mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    37mΩ/32mΩ

  • Qg(nC):

    15/25

  • Ciss:

    523/1217

  • Crss:

    33/98

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更多G4614供应商 更新时间2025-12-10 11:06:00