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AM80912-015	文件：18.8 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIAM80912-015isdesignedforavionicsapplications,includingJTIDS.ItishousedinaHermeticPackage. FEATURES: •InternalInput/OutputMatchingNetwork •PG=8.1dBat15W/1215MHz •Omnigold™MetalizationSystem •28VOperations •CommonBaseconfiguration	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AM80912-030	文件：94 Kbytes Page：6 Pages	AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS DESCRIPTION TheAM80912-030deviceisahighpowerClassCtransistorspecificallydesignedforJTIDSpulsedoutputanddriverapplications. Thisdeviceiscapableofoperationoverawiderangeofpulsewidths,dutycyclesandtemperaturesandiscapableofwithstanding15:1outputVSWRatrate	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AM80912-085	文件：66.13 Kbytes Page：5 Pages	AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS DESCRIPTION TheAM80912-085isdesignedforspecializedavionicsapplicationsincludingJTIDS,wherepowerisprovidedunderpulseformatsutilizingshortpulsewidthsandhighburstoroveralldutycycles. ■REFRACTORY/GOLDMETALLIZATION ■EMITTERSITEBALLASTED ■5:1VSWRCAPABILITY ■LOWT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AM81214-006	文件：61.42 Kbytes Page：4 Pages	RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS DESCRIPTION TheAM81214-006deviceisahighpowerClassCtransistorspecificallydesignedforL-BandRadarpulseddriverapplications. ■REFRACTORY/GOLDMETALLIZATION ■EMITTERSITEBALLASTED ■5:1VSWRCAPABILITY ■LOWTHERMALRESISTANCE ■INPUT/OUTPUTMATCHING ■OVERLAYGEOMETRY ■META	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AM81214-015	文件：64.03 Kbytes Page：4 Pages	L-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS DESCRIPTION TheAM81214-006deviceisahighpowerClassCtransistorspecificallydesignedforL-BandRadarpulseddriverapplications. ■REFRACTORY/GOLDMETALLIZATION ■EMITTERSITEBALLASTED ■5:1VSWRCAPABILITY ■LOWTHERMALRESISTANCE ■INPUT/OUTPUTMATCHING ■OVERLAYGEOMETRY ■META	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AM81214-030	文件：94.6 Kbytes Page：6 Pages	L-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS DESCRIPTION TheAM81214-030deviceisahighpowertransistorspecificallydesignedforL-BandRadarpulseddriverapplications. ■REFRACTORY/GOLDMETALLIZATION ■EMITTERSITEBALLASTED ■RUGGEDIZEDVSWR∞:1 ■LOWTHERMALRESISTANCE ■INPUT/OUTPUTMATCHING ■OVERLAYGEOMETRY ■METAL/CERAMI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AM81214-030	文件：45.4 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIAM81214-030isDesignedfor1215–1400MHz,L-BandRadarApplications. FEATURES: •InternalInput/OutputMatchingNetwork •PG=7.2dBat5.0W(peak)/1400MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AM81214-060	文件：95.27 Kbytes Page：6 Pages	L-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS DESCRIPTION TheAM81214-060deviceisahighpowertransistorspecificallydesignedforL-Bandradarpulsedoutputanddriverapplications. ■REFRACTORY/GOLDMETALLIZATION ■EMITTERSITEBALLASTED ■RUGGEDIZEDVSWR∞:1 ■LOWTHERMALRESISTANCE ■INPUT/OUTPUTMATCHING ■OVERLAYGEOMETRY ■M	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AM81214-060	文件：66.2 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIAM81214-060isDesignedfor1200–1400MHz,L-BandApplications. FEATURES: •InternalInput/OutputMatchingNetwork •PG=6.6dBat55W/1400MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AM81214-300	文件：17.97 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIAM81214-300isDesignedfor1200–1400MHz,L-BandApplications. FEATURES: •InternalInput/OutputMatchingNetwork •CommonBase •PG=6.5dbat325W/1400MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI

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产品属性

产品编号：
AM8
制造商：
Altech Corporation
类别：
开关 > 可配置开关元件 - 主体
包装：
盒
要求：
触点块
类型：
瞬时
照明：
不发光
致动器类型：
紧急停止，圆形
（先选择，然后应用筛选条件）兼容系列：
Altech，30mm
面板开口尺寸：
30.5mm（圆形）
描述：
SWITCH UNITPB OPER 30 MM NON ILL

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