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AO4406A	文件：1.75377 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=13A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4406A	文件：2.58093 Mbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4406AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforhighsideswitchinSMPSandgeneralpurposeapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)13A RDS(ON)(atVGS	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4406A	文件：333.74 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4406AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforhighsideswitchinSMPSandgeneralpurposeapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)13A RDS(ON)(atVGS=10V)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4406A	文件：1.00685 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4406A	文件：1.51183 Mbytes Page：5 Pages	11N06C30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET GeneralFeaturesVDS=30VID=12A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4406A	文件：1.31775 Mbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Description TheAO4406Ausesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=30VID=12A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AO4406A-HF	文件：2.07382 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=13A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4406AL	文件：158.12 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4406ALusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforhighsideswitchinSMPSandgeneralpurposeapplications. Features VDS(V)=30V ID=12A(VGS=10V) RDS(ON)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4406-HF	文件：1.95471 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=11.5A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
CJQ4406	文件：1.50263 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

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技术参数

Supply Current：
3.2 mA
Low Side Switch Drive Source Current：
70 mA
Low Side Switch Drive Sink Current：
- mA
Speed Control：
VSPD or VDD
Frequency Generator (FG) and Rotation Detect：
FG RD
Operating Ambient Temperature：
-40 to 85 °C
Packages：
SO-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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