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AM4953	文件：497.75 Kbytes Page：16 Pages	BTLDriveSingle-phaseFull-waveFanMotorDriver	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
AM4953	文件：459.7 Kbytes Page：16 Pages	BTLDriveSingle-phaseFull-waveFanMotorDriver	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AM4953	文件：801.2 Kbytes Page：9 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM4953usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. TheAM4953isavailableinSOP8package. FEATURES VDS=-30V,ID=-	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創瑞科技AiT創瑞科技	AITSEMI
AM4953P	文件：366.59 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AO4953	文件：1.05502 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP4953D	文件：71.17 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ▼SimpleDriveRequirement ▼LowOn-resistance ▼FastSwitching	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4953GM	文件：207.36 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4953GM	文件：70.57 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheSO-8packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvolt	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4953GM	文件：1.05539 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP4953GM-HF	文件：1.05535 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP4953GM-HF	文件：92.42 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,LowGateCharge Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. ▼SimpleDriveRequirement ▼LowGateCharge ▼FastSwitching ▼RoHSCompliant	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4953M	文件：85.82 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODE Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSO-8packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedfor	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4953M	文件：1.05518 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
APM4953	文件：221.02 Kbytes Page：9 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM4953	文件：500.19 Kbytes Page：7 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeMosfet	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
APM4953	文件：2.01202 Mbytes Page：5 Pages	DualP-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES RDS(ON)=60mQ@VGs=-10V(Max) RDS(ON)=90mQ@VGs=-4.5V(Max)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
APM4953	文件：534.15 Kbytes Page：6 Pages	-30VP-ChannelMOSFET Features VDS(V)=-30V ID=-5.3A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
APM4953	文件：538.74 Kbytes Page：6 Pages	-30VP-ChannelMOSFET Features VDS(V)=-30V ID=-5.3A(VGS=10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧	EVVOSEMI
APM4953K	文件：119.05 Kbytes Page：10 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4.9A,RDS(ON)=53mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=80mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,Portable	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM4953KC-TR	文件：119.05 Kbytes Page：10 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •-30V/-4.9A,RDS(ON)=53mΩ(typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=80mΩ(typ.)@VGS=-4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •SOP-8Package •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,Portable	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC

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更多AKD4953供应商更新时间2024-9-21 15:49:00

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