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AP4953GM-HF	文件：92.42 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement, Low Gate Charge Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. ▼Simple Drive Requirement ▼Low Gate Charge ▼Fast Switching ▼RoHS Compliant 文件：92.42 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4953GM-HF	文件：1.05535 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.05535 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AP4953GM-HF_14	文件：92.42 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement 文件：92.42 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4953GM-HF_16	文件：60.16 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement 文件：60.16 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4953GM-HF	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description\nAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.▼Simple Drive Requirement\n▼Low Gate Charge\n▼Fast Switching\n▼RoHS Compliant	APEC 富鼎先进电子	APEC

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更多AP4953GM-HF供应商更新时间2025-10-12 9:04:00