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AP4957GM	文件：72.42 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ Low On-Resistance ▼ Simple Drive Requirement ▼ Dual P MOSFET Package 文件：72.42 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4957GM	文件：544.32 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：544.32 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AP4957GM_14	文件：75.94 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement 文件：75.94 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4957GM-HF	文件：68.58 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement 文件：68.58 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4957GM	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	APEC 富鼎先进	APEC

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更多AP4957GM供应商更新时间2026-1-23 16:00:00