丝印：AD1265C5；Package：PG-TO247-3-41；650V/12A Silicon Carbide Schottky Diode in TO247-3 CoolSiC™ Automotive Schottky Diode 650V G5

Features  Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide  Benchmark switching behavior  No reverse recovery/ No forward recovery  Temperature independent switching behavior  High surge current capability  Pb-free lead plating; RoHS compliant  Junction Temperature range from -

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Infineon

英飞凌

CoolSiC™ 肖特基二极管

第五代 CoolSiC ™汽车肖特基二极管展示了英飞凌先进的碳化硅肖特基势垒二极管技术。它采用紧凑的设计和基于薄晶圆的技术，可在所有负载条件下提高效率，补充英飞凌的 IGBT 和 CoolMOS ™产品组合，以满足 650V 电压等级的严格应用要求。 • 革命性的半导体材料 - 碳化硅\n• 标杆开关行为\n• 无反向恢复/无正向恢复\n• 与温度无关的开关行为\n• 高浪涌电流能力\n• 无铅镀铅；符合 RoHS 标准\n• 结温范围：-40°C 至 175°C\n• 系统效率高于硅二极管\n• 由于冷却要求降低，节省系统成本/尺寸\n• 实现更高频率/更高功率密度的解决方案\n• 由于工作温度较低，系统可靠性更高\n• 降低 EMI;

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Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247

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650V/12A Silicon Carbide Schottky Diode in D2PAK (Real 2 Pins) CoolSiC™ Automotive Schottky Diode 650V G5

Features  Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide  Benchmark switching behavior  No reverse recovery/ No forward recovery  Temperature independent switching behavior  High surge current capability  Pb-free lead plating; RoHS compliant  Junction Temperature range from -

文件：925.92 Kbytes 页数：11 Pages

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