丝印：AD1265C5；Package：PG-TO263-2-1；650V/12A Silicon Carbide Schottky Diode in D2PAK (Real 2 Pins) CoolSiC™ Automotive Schottky Diode 650V G5

Features  Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide  Benchmark switching behavior  No reverse recovery/ No forward recovery  Temperature independent switching behavior  High surge current capability  Pb-free lead plating; RoHS compliant  Junction Temperature range from -

文件：925.92 Kbytes 页数：11 Pages

Infineon

英飞凌

第五代 CoolSiC ™汽车肖特基二极管代表了英飞凌在碳化硅肖特基势垒二极管领域的领先技术

由于采用紧凑的设计和基于薄晶圆的技术，该系列产品在所有负载条件下都表现出更高的效率，这得益于其热特性和低品质因数（Qc x Vf）。该产品系列旨在补充英飞凌的 IGBT 和 CoolMOS ™产品组合。这确保满足 650V 电压等级中最严格的应用要求。 • 半导体材料 - 碳化硅\n• 基准开关行为\n• 无反向恢复/无正向恢复\n• 温度无关开关\n• 高浪涌电流能力\n• 无铅镀铅；符合 RoHS 标准\n• 提高系统效率\n• 通过减少冷却节省成本/尺寸\n• 实现更高的频率和功率密度\n• 提高低温下的可靠性\n• 降低 EMI;

Infineon

英飞凌

包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DISCRETE DIODES

Infineon

英飞凌

650V/12A Silicon Carbide Schottky Diode in TO247-3 CoolSiC™ Automotive Schottky Diode 650V G5

Features  Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide  Benchmark switching behavior  No reverse recovery/ No forward recovery  Temperature independent switching behavior  High surge current capability  Pb-free lead plating; RoHS compliant  Junction Temperature range from -

文件：843.64 Kbytes 页数：11 Pages

Infineon

英飞凌