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AFT09MS007NT1	文件：1.42031 Mbytes Page：28 Pages	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：1.42031 Mbytes 页数：28 Pages	恩XP	恩XP
AFT09MS015N	文件：861.41 Kbytes Page：18 Pages	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：861.41 Kbytes 页数：18 Pages	恩XP	恩XP
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AFT09MS031GNR1	文件：985.86 Kbytes Page：21 Pages	RF Power LDMOS Transistors 文件：985.86 Kbytes 页数：21 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
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AFT09MS031NR1	文件：985.86 Kbytes Page：21 Pages	RF Power LDMOS Transistors 文件：985.86 Kbytes 页数：21 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
AFT09S200W02GNR3	文件：862.59 Kbytes Page：19 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：862.59 Kbytes 页数：19 Pages	恩XP	恩XP
AFT09S200W02N	文件：862.59 Kbytes Page：19 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：862.59 Kbytes 页数：19 Pages	恩XP	恩XP
AFT09S200W02NR3	文件：862.59 Kbytes Page：19 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：862.59 Kbytes 页数：19 Pages	恩XP	恩XP
AFT09S200W02S	文件：526.88 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：526.88 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP

详细参数

型号：
AFT09
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 HV9 900MHZ 80W OM780-2
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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