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AFT09MS015N分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
AFT09MS015N |
| 参数属性 | AFT09MS015N 封装/外壳为PLD-1.5W；包装为托盘；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD1.5W |
| 功能描述 | High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| 文件大小 |
861.41 Kbytes |
| 页面数量 |
18 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-23 23:08:00 |
AFT09MS015N规格书详情
AFT09MS015N属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的AFT09MS015N晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
AFT09MS015NT1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
870MHz
- 增益：
17.2dB
- 功率 - 输出：
16W
- 封装/外壳：
PLD-1.5W
- 供应商器件封装：
PLD-1.5W
- 描述：
RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD1.5W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
HXSON-6_1.6x1.6 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
7350 |
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询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
FREESCALE/NX |
2020+ |
N/A |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
21+ |
HXSON-6_1.6x1.6 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
PLD--1.5W |
23000 |
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询价 | |||
NXP |
新批次 |
PLD-1.5 |
4326 |
询价 | |||
NXP-恩智浦 |
24+25+/26+27+ |
PLD-1.5W-2 |
6328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
FREESCALE/NX |
19+ |
N/A |
62710 |
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询价 | ||
NXP |
24+ |
PLD-1.5 |
7000 |
询价 |
