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AFT09S200W02GNR3分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
AFT09S200W02GNR3 |
| 参数属性 | AFT09S200W02GNR3 封装/外壳为OM-780-2G；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：FET RF 70V 960MHZ PLD |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| 文件大小 |
862.59 Kbytes |
| 页面数量 |
19 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-24 16:16:00 |
AFT09S200W02GNR3规格书详情
AFT09S200W02GNR3属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的AFT09S200W02GNR3晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
AFT09S200W02GNR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
960MHz
- 增益：
19.2dB
- 功率 - 输出：
56W
- 封装/外壳：
OM-780-2G
- 供应商器件封装：
OM-780-2 鸥翼形
- 描述：
FET RF 70V 960MHZ PLD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP-恩智浦 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
Freescale |
23+ |
原厂原封□□□ |
20000 |
原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货 |
询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Freescale |
2021+ |
3638 |
只做原装假一罚十 |
询价 | |||
FREESCALE |
23+ |
OM780-2L |
11500 |
原装现货,价格优势 |
询价 | ||
NXP |
22+ |
OM7802 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Freescale |
15+ |
2038 |
全新进口原装 |
询价 | |||
NXP USA Inc. |
2022+ |
OM-780-2 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
2021+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||||
FREESCALE |
23+ |
400 |
现货供应 |
询价 |
