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AP4410M	文件：78.42 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSO-8packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedfor	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
APM4410	文件：514.2 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/11.5A,RDS(ON)=9mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=14.5mΩ(typ.)@VGS=4.5V •HighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SO-8Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM4410K	文件：514.2 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/11.5A,RDS(ON)=9mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=14.5mΩ(typ.)@VGS=4.5V •HighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SO-8Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM4410KC-TR	文件：514.2 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/11.5A,RDS(ON)=9mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=14.5mΩ(typ.)@VGS=4.5V •HighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SO-8Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM4410KC-TU	文件：514.2 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/11.5A,RDS(ON)=9mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=14.5mΩ(typ.)@VGS=4.5V •HighDensityCellDesign •ReliableandRugged •SO-8Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
AUFS4410Z	文件：331.38 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •NewPackagewithLowThermalResistance •100%RgTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AUIRFB4410	文件：284.34 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFS4410Z	文件：294.85 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature FastSwitching RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax Lead-Free,RoHSCompliant AutomotiveQualified* SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,this HEXFET®PowerMOSFETutilizesthelat	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFS4410ZTRL	文件：294.85 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 175°COperatingTemperature FastSwitching RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax Lead-Free,RoHSCompliant AutomotiveQualified* SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,this HEXFET®PowerMOSFETutilizesthelat	IRF International Rectifier	IRF
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产品属性

产品编号：
AFE4410YZT
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 模拟前端（AFE）
包装：
托盘
位数：
24
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
30-XFBGA，DSBGA
供应商器件封装：
30-DSBGA
描述：
IC AFE 3 CHAN 24BIT 30DSBGA

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