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AO4410	文件：1.26599 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=18A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4410	文件：1.37175 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4410	文件：1.68087 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET Features ●VDS(V)=30V ●ID=18A(VGS=10V) ●RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4410	文件：1.73635 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET Features VDS (V)=30V ID=18A(VGS=10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AO4410-HF	文件：1.44818 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=18A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4410L	文件：110.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4410usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),shoot-throughimmunity,bodydiodecharacteristicsandultra-lowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinNotebookCPUcorepowerconversion.StandardproductAO4410	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP4410AGM	文件：63.47 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,LowOn-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4410BEC	文件：576.38 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowPowerDualVoltageDetector	AKMAsahi Kasei Microsystems 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
AP4410GM	文件：208.24 Kbytes Page：5 Pages	LowOn-Resistance,FastSwitching	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4410GM-HF	文件：57.73 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER

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产品属性

产品编号：
AFE4410YZT
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 模拟前端（AFE）
包装：
托盘
位数：
24
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
30-XFBGA，DSBGA
供应商器件封装：
30-DSBGA
描述：
IC AFE 3 CHAN 24BIT 30DSBGA

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