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AO4410	文件：1.68087 Mbytes Page：6 Pages	丝印：AO4410；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET Features ● VDS(V) = 30V ● ID = 18 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.68087 Mbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4410	文件：1.73635 Mbytes Page：6 Pages	丝印：AO4410；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET Features VDS (V) = 30V ID = 18 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.73635 Mbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4410	文件：1.26599 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 18 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.26599 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4410	文件：1.37175 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.37175 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4410	文件：2.094139 Mbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET General Description The AO4410 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in Notebook CPU core power conversion. Product Summary 文件：2.094139 Mbytes 页数：5 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4410	文件：110.46 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4410 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in Notebook CPU core power conversion. Standard product AO4410 文件：110.46 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4410	文件：185.82 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET 文件：185.82 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4410	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO4410-HF	文件：1.44818 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 18 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.44818 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4410L	文件：110.46 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4410 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally suited for use as a low side switch in Notebook CPU core power conversion. Standard product AO4410 文件：110.46 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Obsolete
Package：
SOIC-8
Configuration：
Single - N
Vds/V：
30
Vgs/V：
12
Id(A)(25℃)：
18
Id(A)(75℃)：
15
Pd(W)(25℃)：
3
Pd(W)(75℃)：
2.1
Rds (on) mΩ max(10V)：
5.5
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
6.2
Qg (nC)：
72.4

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