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AUIRFB4410	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车Q101 100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装 \n优势:\n• 先进加工技术\n• 超低导通电阻\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRFB4410	文件：284.34 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：284.34 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
AUIRFS4410Z	文件：294.85 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE GRADE Features Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 175°C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the lat 文件：294.85 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRFS4410ZTRL	文件：294.85 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE GRADE Features Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 175°C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the lat 文件：294.85 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRFS4410ZTRR	文件：294.85 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE GRADE Features Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 175°C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the lat 文件：294.85 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF

技术参数

RDS (on)(@10V) max：
10.0mΩ
QG(typical) ：
120.0nC
VDS max：
100.0V
ID (@ TC=100°C) max：
68.0A
ID max：
68.0A
ID (@ TC=25°C) max：
75.0A
RthJC max：
0.61K/W
Ptot max：
200.0W
Qgd ：
44.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V
Mounting ：
THT
Polarity ：
N

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