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AON7702L	文件：213.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription SRFETTMAON7702/LusesadvancedtrenchtechnologywithamonolithicallyintegratedSchottkydiodetoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge. ThisdeviceissuitableforuseasalowsideFETinSMPS,loadswitchingandgeneralpurposeapplications. -RoHSCompliant.	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
DMG7702SFG	文件：185.91 Kbytes Page：8 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETWITHSCHOTTKYDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
EE-SX7702M	文件：424.97 Kbytes Page：6 Pages	PhotomicrosensorwithSlimCable(Non-modulated)	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
EE-SX7702M	文件：424.97 Kbytes Page：6 Pages	PhotomicrosensorwithSlimCable	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
F7702	文件：260.37 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel20-V(G-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFETs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7702	文件：138.75 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-12V) Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702	文件：144.31 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702GPBF	文件：243.43 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-ResistanceP-ChannelMOSFETVerySmallSOICPackageLowProfile(1.2mm)AvailableinTape&ReelLead-FreeHalogen-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702GPBF	文件：233.57 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFETUltraLowOn-Resistance1.8VRated Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702PBF	文件：184.83 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
ADUM7702BRWZ-RL
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
集成电路（IC） > ADC/DAC - 特殊用途
包装：
卷带（TR）
类型：
调制器
分辨率（位）：
16 b
采样率（每秒）：
78.1k
数据接口：
串行
供电电压源：
单电源
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V，4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
+/- 50MV LOW POWER ISO ADC

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中天科工半导体（深圳）有限公司	ADUM7702BRWZ-RL	Analog Devices Inc.	24+	16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)	25000	ADC/DAC转换主营芯片-原装正品	询价
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更多ADUM7702BRWZ-RL供应商更新时间2025-5-19 11:10:00

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