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BF904	文件：111.29 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF904	文件：309.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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BF904A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF904AR	文件：308.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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