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BF904AR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF904AWR	文件：114.5 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF904AWR	文件：308.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF904AWR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF904R	文件：303.6 Kbytes Page：14 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF904R	文件：111.29 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF904R	文件：309.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF904R	文件：309.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF904WR	文件：119.77 Kbytes Page：12 Pages	N-channeldual-gateMOS-FET DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT343Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES •Speciallyde	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGD904	文件：74.28 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodules DESCRIPTION HybridamplifiermodulesinaSOT115Jpackageoperatingwithavoltagesupplyof24V(DC). Bothmodulesareelectricallyidenticalonlythepinningisdifferent. FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Excellentreturnlossproperties •Siliconnitridepassivatio	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	ADRV9361-Z7035	ADI/亚德诺	20+	EvaluationBoard	33680	ADI全新原装-可开原型号增税票	询价
深圳市科雨电子有限公司	ADRV9361-Z7035	ADI	20+	射频元件	19	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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博速半导体（深圳）有限公司	ADRV9361-Z7035	ADI/亚德诺	22+		66900	原封装	询价

更多ADRV904X-LB/PCBZ供应商更新时间2025-5-25 14:14:00

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