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ADM30N10E

MOSFET

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爱德微

AM30N10

isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • Drain Current :ID= 20A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 50mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • LED backl

文件:351.27 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

CJD30N10

N-Channel Power MOSFET

文件:578.64 Kbytes 页数:4 Pages

JIANGSU

长电科技

CJD30N10

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.17777 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • ID(25℃)_A:

    30

  • RDS(on) mΩ(Max)VGS=10V:

    32

  • RDS(on) mΩ(Max)4.5V:

    36

  • VGS ±V:

    20

  • VGS(th)(max V):

    2.5

  • Package:

    TO252

  • Qg (nC):

    23

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更多ADM30N10E供应商 更新时间2025-11-11 18:29:00