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CJD30N10

N-Channel Power MOSFET

文件:578.64 Kbytes 页数:4 Pages

JIANGSU

长电科技

CJD30N10

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.17777 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

CJU30N10

N-Channel Power MOSFET

文件:822.16 Kbytes 页数:5 Pages

JIANGSU

长电科技

CJU30N10

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

文件:988.91 Kbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

F30N10G

N-Channel Enhancement MOSFET

Features • VDS=100V, ID=30A • RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V(Typ.) • RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V(Typ.) • High Power and current handing capability • Lead free product is acquired • Surface Mount Package Main Applications • Battery Protection • Load Switch • Power Management

文件:235.77 Kbytes 页数:4 Pages

GWSEMI

唯圣电子

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更多CJD30N10供应商 更新时间2025-12-6 15:00:00