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F30N10G	文件：235.77 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features •VDS=100V,ID=30A •RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V(Typ.) •RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V(Typ.) •HighPowerandcurrenthandingcapability •Leadfreeproductisacquired •SurfaceMountPackage MainApplications •BatteryProtection •LoadSwitch •PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FIR30N10LG	文件：2.4784 Mbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FTK30N10D	文件：359.22 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HLDD30N10	文件：840.41 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
HLDD30N10	文件：1.07836 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司	HUILIDA
HM30N10	文件：937.47 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM30N10D	文件：608.79 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM30N10K	文件：649.21 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
LMAK30N10	文件：1.12796 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
P30N10	文件：1.05035 Mbytes Page：13 Pages	N-channel100V,0.02廓typ.,32ASTripFET??F7PowerMOSFETinaTO-220package Description ThisN-channelPowerMOSFETutilizes STripFET™F7technologywithanenhanced trenchgatestructurethatresultsinverylowonstateresistance,whilealsoreducinginternal capacitanceandgatechargeforfasterandmore efficientswitching. Features AmongthelowestRDS(o	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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更多F30N10G供应商更新时间2025-5-23 10:31:00

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