N-Channel Enhancement MOSFET

Features • VDS=100V, ID=30A • RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V(Typ.) • RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V(Typ.) • High Power and current handing capability • Lead free product is acquired • Surface Mount Package Main Applications • Battery Protection • Load Switch • Power Management

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GWSEMI

唯圣电子

100V N-Channel MOSFET

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FOSTER

福斯特半导体

N -Channel Power MOSFET

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FS

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

汇利达广东汇利达半导体有限公司