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ADM100N06Q	文件：543.74 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS techno 文件：543.74 Kbytes 页数：5 Pages	ADV 爱德微	ADV
ADM100N06Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	ADV 爱德微	ADV
BSZ100N06NS	文件：697.5 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM Power-Transistor 文件：697.5 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FIR100N06PG	文件：3.73479 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：3.73479 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
HM100N06F	文件：433.03 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：433.03 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

技术参数

Configuration：
Single
Polarity：
N
ID（25℃）：
100
RDS(on) mΩ(Max)VGS=10V：
4.6
RDS(on) mΩ(Max)VGS=4.5V：
5.5
VGS：
±20
VGS（th)：
2.5
Package：
PDFN5*6
Qg (nC)：
116

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ADM100N06Q供应商更新时间2025-10-7 11:01:00

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