N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS ™ 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如服务器和台式机以及平板电脑充电器中的电源。此外，这些器件是电机控制、太阳能微逆变器和快速开关 直流-直流转换器等广泛工业应用的绝佳选择。 • 针对同步整流进行优化\n• R DS(on) 比其他器件低 40%\n• 与同类器件相比，品质因数提高了 40%\n• 符合 RoHS - 无卤素\n• MSL1 评级\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 降低系统成本\n• 非常低的电压过冲;

Infineon

英飞凌

OptiMOSTM Power-Transistor

文件：697.5 Kbytes 页数：9 Pages

INFINEON

英飞凌

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件：3.73479 Mbytes 页数：7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：433.03 Kbytes 页数：6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A

文件：491.51 Kbytes 页数：6 Pages

PANJIT

強茂