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FIR100N06PG

丝印:FIR100N06P;Package:TO-220;N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:3.73479 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR100N06PG

功率MOS/中低压功率MOS

First

福斯特

HM100N06F

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:433.03 Kbytes 页数:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

PJD100N06SA-AU

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A

文件:491.51 Kbytes 页数:6 Pages

PANJIT

強茂

PJP100N06SA-AU

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A

文件:459.29 Kbytes 页数:6 Pages

PANJIT

強茂

技术参数

  • ID [A]:

    100

  • VGS [±V]:

    ±12

  • VGS(th) [V]:

    2~4

  • RDS(on) [MΩ]:

    6.5

  • Package:

    TO-220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FIR100N06PG供应商 更新时间2025-12-7 11:10:00