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ADG409BRU	文件：440.78 Kbytes Page：16 Pages	LC2MOS4-/8-ChannelHighPerformanceAnalogMultiplexers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG409BRU-REEL	文件：440.78 Kbytes Page：16 Pages	LC2MOS4-/8-ChannelHighPerformanceAnalogMultiplexers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG409BRUZ	文件：312.35 Kbytes Page：15 Pages	LC2MOS4-/8-ChannelHighPerformanceAnalogMultiplexers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG409BRZ	文件：312.35 Kbytes Page：15 Pages	LC2MOS4-/8-ChannelHighPerformanceAnalogMultiplexers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG409BRZ-REEL	文件：312.35 Kbytes Page：15 Pages	LC2MOS4-/8-ChannelHighPerformanceAnalogMultiplexers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG409TQ	文件：440.78 Kbytes Page：16 Pages	LC2MOS4-/8-ChannelHighPerformanceAnalogMultiplexers	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG409TQ	文件：223.56 Kbytes Page：11 Pages	LC2MOS4-/8-ChannelHighPerformanceAnalogMultiplexers GENERALDESCRIPTION TheADG408/ADG409aremonolithicCMOSanalogmultiplexerscomprisingeightsinglechannelsandfourdifferentialchannels,respectively.TheADG408switchesoneofeightinputstoacommonoutputasdeterminedbythe3-bitbinaryaddresslinesA0,A1,andA2.TheADG409switch	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AKBL409	文件：104.82 Kbytes Page：2 Pages	AVALANCHEBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC	EIC
ALAN-409	文件：412.52 Kbytes Page：4 Pages	LANCOUPLINGTRANSFORMERS	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
AOB409L	文件：250.76 Kbytes Page：6 Pages	60VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOB409LcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforboostconvertersandsynchronousrectifiersforconsumer,telecom,industrialpowersuppliesandLEDbacklighting. ProductSummary	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB409L	文件：281.23 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD409	文件：1.27698 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization: APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD409	文件：489.05 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel-60V(D-S)MOSFET Features VDS(V)=-60V ID=-26A(VGS=-10V) RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
AOD409	文件：243 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD409	文件：267.28 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-252(DPAK)packaging •Highspeedswitching •Lowgateinputresistance •Standardlevelgatedrive •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •Switchin	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD409	文件：2.53267 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD409	文件：185.12 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD409usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.StandardProductAOD409isPb-free(meets	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD409G	文件：293.67 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications •FEATURES •DrainCurrent–ID=-28A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=40mΩ(Max) •100avalanchetested •Minimum	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD409L	文件：185.12 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD409usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.StandardProductAOD409isPb-free(meets	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI409	文件：1.3486 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology Description： ThisP-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=-60V,ID=-35A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

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详细参数

型号：
ADG409BN
功能描述：
IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 16DIP
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
系列：
LC²MOS
标准包装：
48
系列：
-
功能：
开关
电路：
4 x SPST - NO
导通状态电阻：
100 欧姆
电压电源：
单/双电源电压 -
电源，单路/双路(±)：
2 V ~ 12 V，±2 V ~ 6 V 电流 -
电源：
50nA
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
16-SOIC
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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