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厂商型号

AOD409

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

185.12 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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更新时间

2026-2-1 12:00:00

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AOD409规格书详情

General Description

The AOD409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. Standard Product AOD409 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD409L is a Green Product ordering option. AOD409 and AOD409L are

electrically identical.

特性 Features

VDS(V) = -60V

ID= -26A (VGS= -10V)

RDS(ON) < 40mΩ(VGS= -10V) @ -20A

RDS(ON)

产品属性

  • 型号:

    AOD409

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -60V -26A TO-252

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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