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AFE4900YZT	文件：685.57 Kbytes Page：10 Pages	Ultra-LowPower,IntegratedAFEforWearableOptical,ElectricalBio-SensingWithFIFO	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
AFE4900YZT	文件：333.61 Kbytes Page：8 Pages	AFE4900Ultra-lowPower,IntegratedAFEforWearableOptical,ElectricalBio-sensingwithFIFO 1Features 1•SynchronizedPPG,ECGsignalacquisitionat dataratesupto1kHz •ECGsignalchain: –StandaloneECGacquisitionupto4kHz –Inputbias:1-leadECGwithRLDbias –ProgrammableINAgain:2.15to12.92 –Inputnoise(1Hzto150Hz):2.5μVrmsat 1kHz,1.25μVrmsat4-kH	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
AFE4900YZT.A	文件：333.61 Kbytes Page：8 Pages	AFE4900Ultra-lowPower,IntegratedAFEforWearableOptical,ElectricalBio-sensingwithFIFO 1Features 1•SynchronizedPPG,ECGsignalacquisitionat dataratesupto1kHz •ECGsignalchain: –StandaloneECGacquisitionupto4kHz –Inputbias:1-leadECGwithRLDbias –ProgrammableINAgain:2.15to12.92 –Inputnoise(1Hzto150Hz):2.5μVrmsat 1kHz,1.25μVrmsat4-kH	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
AO4900	文件：123.34 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4900usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.ASchottkydiodeisco-packagedinparallelwiththesynchronou	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4900	文件：1.78844 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=6.9A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4900A	文件：119.7 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheAO4900AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDCDCconverters.ASchottkydiodeisco-packagedinparallelwiththesynchrono	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4900AL	文件：119.7 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheAO4900AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDCDCconverters.ASchottkydiodeisco-packagedinparallelwiththesynchrono	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4900L	文件：123.34 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4900usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.ASchottkydiodeisco-packagedinparallelwiththesynchronou	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BA4900	文件：169.98 Kbytes Page：10 Pages	Systempowersupplyforcarstereos TheBA3918isasingle-chippowersupplyICforuseincaraudiosystems.One5.6Voutputforamicrocontroller,three8.7Voutputs,andtwooutputsinterlockedbyBACKUPandACCsystemsarebuiltin.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BMLPV4900	文件：268.78 Kbytes Page：2 Pages	Low-ProfileAntennas-MLPVSeries Features •Attractive,low-profiledesignformaximumoverheadclearance •Industryleadingwidebandperformanceprovidesoutstandingcoverageacross multiplefrequencybandswithnotuningrequired •Wideband,multi-band,andnogroundplanemodelsavailable •“Easygrip”HDmodelsavailable	PCTEL PCTEL, Inc	PCTEL

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