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AFE4900YZT	文件：685.57 Kbytes Page：10 Pages	Ultra-Low Power, Integrated AFE for Wearable Optical, Electrical Bio-Sensing With FIFO	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
AFE4900YZT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：30-XFBGA，DSBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）模拟前端（AFE）描述：IC AFE 3 CHAN 24BIT 30DSBGA	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
AO4900	文件：123.34 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4900usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.ASchottkydiodeisco-packagedinparallelwiththesynchronou	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4900	文件：1.78844 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=6.9A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4900A	文件：119.7 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheAO4900AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDCDCconverters.ASchottkydiodeisco-packagedinparallelwiththesynchrono	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4900AL	文件：119.7 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheAO4900AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDCDCconverters.ASchottkydiodeisco-packagedinparallelwiththesynchrono	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4900L	文件：123.34 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4900usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.ASchottkydiodeisco-packagedinparallelwiththesynchronou	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BA4900	文件：169.98 Kbytes Page：10 Pages	Systempowersupplyforcarstereos TheBA3918isasingle-chippowersupplyICforuseincaraudiosystems.One5.6Voutputforamicrocontroller,three8.7Voutputs,andtwooutputsinterlockedbyBACKUPandACCsystemsarebuiltin.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BMLPV4900	文件：268.78 Kbytes Page：2 Pages	Low-ProfileAntennas-MLPVSeries Features •Attractive,low-profiledesignformaximumoverheadclearance •Industryleadingwidebandperformanceprovidesoutstandingcoverageacross multiplefrequencybandswithnotuningrequired •Wideband,multi-band,andnogroundplanemodelsavailable •“Easygrip”HDmodelsavailable	PCTEL PCTEL, Inc	PCTEL
C4900	文件：141.16 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGEPOWERSUPPLYUNIT TheC4900seriesarecompactPC–boardmountablehighvoltagepowersupplies,especiallydesignedforphotomultipliertubes.Thedesignoffersbetterperformanceandimprovedfail–safeprotection. TheC4900and–01outputnegativepolarityandtheC4900–50and–51outputpositivepolarityhighvolt	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU

产品属性

产品编号：
AFE4900YZT
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 模拟前端（AFE）
包装：
托盘
位数：
24
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
30-XFBGA，DSBGA
供应商器件封装：
30-DSBGA
描述：
IC AFE 3 CHAN 24BIT 30DSBGA

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