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厂商型号

AO4900L

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

123.34 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-4 11:26:00

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AO4900L规格书详情

General Description

The AO4900 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC converters. A Schottky diode is co-packaged in parallel with the synchronous MOSFET to boost efficiency further.Standard Product AO4900 is Pb free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

AO4900L is a Green Product ordering option.

AO4900 and AO4900L are electrically identical.

特性 Features

VDS (V) = 30V

ID = 6.9A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 27mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON)

SCHOTTKY

VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF=0.5V@1A

产品属性

  • 型号:

    AO4900L

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全称:

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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