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A1S	文件：797.23 Kbytes Page：24 Pages	型号：AD8539ARMZ；Package：MSOP；Low Power, Precision, Auto-Zero Op Amps FEATURES Lowoffsetvoltage:13μVmaximum Inputoffsetdrift:0.03μV/°C Single-supplyoperation:2.7Vto5.5V Highgain,CMRR,andPSRR Lowinputbiascurrent:25pA Lowsupplycurrent:180μA Qualifiedforautomotiveapplications APPLICATIONS Mobilecommunications Portableinstrumen	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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A1S	文件：778 Kbytes Page：4 Pages	型号：SK2301AAT；Package：SOT-523；SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
A1S	文件：734.09 Kbytes Page：4 Pages	型号：SK2301AAW；Package：SOT-323；SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
A1S	文件：749.93 Kbytes Page：4 Pages	型号：SK2301AW；Package：SOT-323；SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
A1SHB	文件：1.94327 Mbytes Page：5 Pages	型号：DMP2123LQ；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyDMP2123LQ GeneralFeatures VDS=-20VID =-2.3A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
A1SHB	文件：1.89655 Mbytes Page：5 Pages	型号：IRLML6402；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyIRLML6402 GeneralFeatures VDS=-20VID =-2.3A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
A1SHB	文件：1.46628 Mbytes Page：5 Pages	型号：NJ2301；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS Features TrenchFETPowerMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
A1SHB	文件：1.94325 Mbytes Page：5 Pages	型号：PMV48XPA；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. ThePMV48XPAusesadvancedtrenchtechnology GeneralFeatures VDS=-20VID =-2.3A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
A1SHB	文件：883.22 Kbytes Page：3 Pages	型号：SI2301B；Package：SOT-23；P-Channel 20-V(D-S) MOSFET FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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详细参数

型号：
A1S
功能描述：
IC OPAMP CHOPPER 430KHZ LP 8MSOP
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
产品培训模块：
Differential Circuit Design Techniques for Communication Applications
标准包装：
1
放大器类型：
RF/IF 差分
电路数：
1
输出类型：
差分
转换速率：
9800 V/µs
增益带宽积：
-
-3db带宽：
2.9GHz 电流 -
输入偏压：
3µA 电压 -
输入偏移：
- 电流 -
电源：
40mA 电流 -
输出/通道：
- 电压 -
电源，单路/双路(±)：
3 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
16-VQFN 裸露焊盘，CSP
供应商设备封装：
16-LFCSP-VQ
包装：
剪切带(CT)
产品目录页面：
551(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
ADL5561ACPZ-R7CT

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更多A1S供应商更新时间2025-7-30 9:39:00

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