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PMV48XPA	文件：1.94325 Mbytes Page：5 Pages	丝印：A1SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. The PMV48XPA uses advanced trench technology General Features VDS = -20V ID =-2.3A RDS(ON) 文件：1.94325 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
PMV48XPA	文件：715.26 Kbytes Page：15 Pages	丝印：DZ；Package：TO-236AB；20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：715.26 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV48XPA2	文件：287.87 Kbytes Page：15 Pages	丝印：HG；Package：SOT23；20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET 文件：287.87 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV48XPA2	文件：288.19 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET t 文件：288.19 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV48XPA2_V01	文件：288.19 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET t 文件：288.19 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV48XPA2R	文件：288.19 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET t 文件：288.19 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMV48XPA_15	文件：257.25 Kbytes Page：15 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：257.25 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
PMV48XPA	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Trench MOSFET technology\n• Very fast switching\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMV48XPA2	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• Very fast switching\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
55
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
81
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-3.5
QGD [typ] (nC)：
1.8000001
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
8.5
Ptot [max] (W)：
0.51
VGSth [typ] (V)：
-1
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
999.99994
Coss [typ] (pF)：
130
Release date：
2014-03-05

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