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2SA1962OTU

丝印:A1962O;Package:TO-3P;PNP Epitaxial Silicon Transistor

Features • High Current Capability: I C = -17A • High Power Dissipation : 130watts • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO= -250V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SC5242/FJA4313. • Thermal and electrical Spice models are

文件:484.8 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    A1962O

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT PNP 230V 15A 130W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多A1962O供应商 更新时间2025-9-16 23:01:00