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A1962R	文件：484.8 Kbytes Page：8 Pages	型号：2SA1962RTU；Package：TO-3P；PNP Epitaxial Silicon Transistor Features •HighCurrentCapability:IC=-17A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=-250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SC5242/FJA4313. •ThermalandelectricalSpicemodelsare	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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A1962R

文件：484.8 Kbytes

Page：8 Pages

型号：2SA1962RTU；Package：TO-3P；PNP Epitaxial Silicon Transistor

Features •HighCurrentCapability:IC=-17A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=-250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SC5242/FJA4313. •ThermalandelectricalSpicemodelsare

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
A1962R
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Silicon
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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