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2SA1962RTU	文件：484.8 Kbytes Page：8 Pages	Marking：A1962R；Package：TO-3P；PNP Epitaxial Silicon Transistor Features •HighCurrentCapability:IC=-17A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=-250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SC5242/FJA4313. •ThermalandelectricalSpicemodelsare	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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2SA1962RTU

文件：484.8 Kbytes

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Marking：A1962R；Package：TO-3P；PNP Epitaxial Silicon Transistor

Features •HighCurrentCapability:IC=-17A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=-250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SC5242/FJA4313. •ThermalandelectricalSpicemodelsare

ONSEMION Semiconductor

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更多A1962R供应商更新时间2025-5-24 14:08:00

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