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9926	文件：1.66113 Mbytes Page：6 Pages	丝印：9926；Package：SOP-8；Power switching application Description The 9926 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply 文件：1.66113 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
9926	文件：996.47 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：996.47 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CEM9926A	文件：1.00679 Mbytes Page：5 Pages	丝印：9926；Package：SOP-8；Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features VDS (V) = 20V ID = 7A RDS(ON) 文件：1.00679 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
CEM9926A	文件：350.97 Kbytes Page：5 Pages	丝印：9926；Package：SOP-8；Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features VDS (V) = 20V ID = 7A RDS(ON) 文件：350.97 Kbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
RM9926	文件：207.86 Kbytes Page：7 Pages	丝印：9926；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features VDS =20V,ID =6A RDS(ON) 文件：207.86 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
WNMD9926-8/TR	文件：981.06 Kbytes Page：8 Pages	丝印：9926；Package：SOP-8L；Dual N-Channel, 20V,5.3A, Power MOSFET 文件：981.06 Kbytes 页数：8 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WNMD9926-8SLASHTR	文件：981.06 Kbytes Page：8 Pages	丝印：9926；Package：SOP-8L；Dual N-Channel, 20V,5.3A, Power MOSFET 文件：981.06 Kbytes 页数：8 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
9926	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
9926	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	TDSEMIC 拓电半导体	TDSEMIC
9926	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET	JSMICRO 杰盛微	JSMICRO

技术参数

Configuration：
N+N channel
ESD：
NO
VDS：
20V
Id at 25℃(max)：
6A
PD(max)：
1.25W
Vgs(th)typ(V)：
1.2V
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
16mΩ~25mΩ
Qg(nC)：
10
Ciss：
640
Crss：
80

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多9926供应商更新时间2021-9-16 14:01:00

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